120 keVH+離子注入C60薄膜中的輻照效應

研究高能離子與C60晶體相互作用,是認識高能離子與凝聚態(tài)物理相互作用的基本規(guī)律和開發(fā)應用C60分子材料的基礎,對實現(xiàn)C60分子摻雜以及這種材料開發(fā)應用都具有十分重要的意義.利用120 keVH+離子注入C60薄膜,系統(tǒng)研究不同注入劑量對C60薄膜結(jié)構(gòu)的影響,用Raman散射技術(shù)分析了H+離子在C60薄膜中引起的輻照效應.分析結(jié)果表明,H+離子輻照會影響C60薄膜結(jié)構(gòu),使C60薄膜產(chǎn)生聚合和薄膜非晶碳化現(xiàn)象,上述現(xiàn)象產(chǎn)生與輻照注入離子的輻照劑量有關.在整個輻照過程中電子能損起主導作用,電子能損有明顯的退火效應,致使C60由晶態(tài)向非晶態(tài)轉(zhuǎn)變過程中,經(jīng)歷了一個石墨化的中間過程,即晶態(tài)C60分子→石墨化→非晶碳這一過程.

作 者： 朱圣星 姚江宏   作者單位： 朱圣星(重慶三峽學院,電子工程系,重慶,404000)

姚江宏(南開大學,物理科學院,南開,300071) 

刊 名： 重慶大學學報(自然科學版)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF CHONGQING UNIVERSITY(NATURAL SCIECNE EDITION)  年，卷(期)： 2002 25(7)  分類號： O483  關鍵詞： 輻照效應   C60薄膜   退火效應  

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