ZnS摻Mn的電子結構研究

用自旋極化的LSD-LMTO(Local-Spin-Density L-near Muffin-Tin-Orbital Method)方法,對ZnS摻入Mn發(fā)光中心的電子結構進行了大型超原胞模擬計算.在自洽收斂的條件下,先對純ZnS調節(jié)計算參數(原子球、空球占空比),使計算的帶隙Eg=3.23 eV;然后用原子球替代方式自洽計算雜質密度在Eg中的相對位置,模擬計算了在六角結構ZnS中摻入不同濃度的Mn雜質后有關的雜質能級在Eg中的相對位置.計算結果表明:(1)單個缺陷的雜質能級性質與配位場理論結果相符合,直接用雜質態(tài)密度來表示;(2)摻入雜質的濃度對雜質能級位置的影響不大,這與實驗結果相一致.

作 者： 沈漢鑫 沈耀文   作者單位： 沈漢鑫(龍巖師范高等�？茖W校計算機系,福建,龍巖,364000)

沈耀文(廈門大學物理系,福建,廈門,361005) 

刊 名： 高壓物理學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF HIGH PRESSURE PHYSICS  年，卷(期)： 2003 17(1)  分類號： O482.3  關鍵詞： 超原胞   雜質能級   發(fā)光中心  

【ZnS摻Mn的電子結構研究】相關文章：

Fe-Mn-Cu-Co尖晶石體系的電子結構與紅外輻射特性04-27

摻磷納米硅薄膜的微結構04-29

Mn2+,Pb2+共摻雜ZnS納米材料制備及光致發(fā)光04-28

污泥摻燒技術研究04-26

摻Nd納米ZnO薄膜特性研究04-28

摻Fe3+納米TiO2晶體結構及光催化性能研究04-29

溶劑熱法實現ZnS晶體相變的反應條件研究04-29

摻鑭鎢酸鉛晶體的EXAFS研究04-25

高溫超導體MgB-2的電子結構研究04-29

內摻三金屬氮化物富勒烯Er3N04-27