GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱線中類氫雜質的束縛能和光致電離截面

通過在波函數(shù)中考慮量子線的限制方向和非限制方向的相關性,計算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱線中類氫雜質的束縛能和光致電離截面.結果表明光致電離截面的大小受量子線尺寸的影響,并且對于相同尺寸的量子線,有限深勢阱中雜質態(tài)的光致電離截面要比無限深勢阱中的大.與他人的結果比較發(fā)現(xiàn),所選波函數(shù)改進了體系的束縛能,并使光致電離截面減小,這使得結果更為合理.

作 者： 劉建軍 蘇會 關榮華 楊國琛 Liu Jianjun Su Hui Guan Ronghua Yang Guochen   作者單位： 劉建軍,Liu Jianjun(河北師范大學物理學院,石家莊,050016;河北工業(yè)大學物理所,天津,300130)

蘇會,Su Hui(中國科學院物理研究所,北京,100080)

關榮華,Guan Ronghua(河北工業(yè)大學物理所,天津,300130;華北電力大學應用物理系,保定,071003)

楊國琛,Yang Guochen(河北工業(yè)大學物理所,天津,300130) 

刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2003 24(6)  分類號： O741.1  關鍵詞： 光致電離截面   束縛能   類氫雜質   量子阱線   photoionization cross-section   binding energy   hydrogenic impurity   quantum well wire  

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