AlGaN/GaN異質(zhì)結構中的極化工程

從自洽求解薛定諤方程和泊松方程出發(fā),研究了AlGaN/GaN量子阱電子氣密度隨Al組份比、勢壘層厚度和柵壓的變化,比較了能帶帶階和極化電荷對溝道阱能帶和電子氣特性的影響,研究了在勢壘層和緩沖層中夾入AlN及InGaN薄層的作用,計算了AlGaN/GaN/AlGaN雙異質(zhì)結的能帶,最后探討了勢壘層能帶的優(yōu)化設計,提出了剪裁勢壘層能帶來鈍化表面的新方法.

作 者： 薛舫時 XUE Fangshi   作者單位： 單片集成電路與模塊國家級重點實驗室,南京電子器件研究所,南京,210016  刊 名： 固體電子學研究與進展  ISTIC PKU 英文刊名： RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS  年，卷(期)： 2008 28(3)  分類號： O484  關鍵詞： 鋁鎵氮、氮化鎵異質(zhì)結   極化摻雜   能帶剪裁   表面鈍化新方案  

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