銀和銅膜中異常晶粒生長(zhǎng)和織構(gòu)變化的實(shí)驗(yàn)研究

用透射電子顯微鏡(TEM)和x射線衍射(XRD)方法對(duì)經(jīng)300℃,2h退火的Ag和Cu自由膜和Si基體上的Ag和Cu附著膜的異常晶粒生長(zhǎng)和織構(gòu)變化進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究.XRD分析表明:Ag和Cu沉積膜均有(111)和(100)擇優(yōu)取向.但經(jīng)退火處理后,Ag和Cu自由膜的(111)織構(gòu)稍有加強(qiáng).相反,Si基體上的Ag和Cu附著膜的(100)和(110)織構(gòu)明顯加強(qiáng),同時(shí)用TEM在Cu附著膜中觀察到了兩個(gè)(110)和四個(gè)(211)取向的異常大晶粒.根據(jù)表面能和應(yīng)變能的各向異性對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析.

作 者： 張建民 徐可為   作者單位： 張建民(陜西師范大學(xué)物理學(xué)與信息技術(shù)學(xué)院,西安,710062;西安交通大學(xué)金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安,710049)

徐可為(西安交通大學(xué)金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安,710049) 

刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(1)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 薄膜   晶粒生長(zhǎng),織構(gòu)   實(shí)驗(yàn)  

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